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    半导体器件中的辐射效应 专著
    著者印纽斯基, 刘超铭
    电子工业出版社 2021
    主题标目
  • 半导体器件 -- 辐射效应
  • 丛书: 
    集成电路基础与实践技术丛书
    出版地: 
    北京
    ISBN: 
    978-7-121-42552-3
    载体形态: 
    12,315页 : 图 ; 26cm
    附注: 
    工信学术出版基金
    译者还有:王天琦、张延清、齐春华、马国亮
    封面英文题名:Radiation effects in semiconductors
    本书的内容主要介绍了各类先进电子器件在辐射环境(航天,核物理等)下的行为及效应。辐射与物质的相互作用是一个非常广泛和复杂的课题。在这本书中,作者从各个不同的角度试图分析这个问题,目的是解释理解半导体器件、电路和系统在受到辐射时所观察到的退化效应的重要方面。内容包括目前国际上对于半导体器件辐射效应关注的各个方向,从传统的Si材料到新型的纳米晶体,从传统的CMOS工艺到新型的薄膜SOI工艺,从器件工艺到结构设计,各类内容均有涉及。
    索书号: 
    TN303/7724-3
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    馆址馆藏地索书号状态馆藏类型馆藏条码 
    上海图书馆保存本书库TN303/7724-3编目中保存资料54121110663369
    上海图书馆综合阅览室TN303/7724-3归还参考外借资料54121110663370
    上海图书馆中文书刊外借室TN303/7724-3归还普通外借资料54121110663372
    上海图书馆阅览书库TN303/7724-3归还处理中54121110663371
    上海图书馆东馆阅读广场TN303/7724-3编目中普通外借资料54121110691936

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